Transistor bipolare 2SD867
Caratteristiche elettriche del transistor 2SD867
- Tipo di transistor: NPN
- Tensione massima collettore-emettitore: 110 V
- Tensione massima collettore-base: 130 V
- Tensione massima emettitore-base: 7 V
- Corrente di collettore continua: 10 A
- Dissipazione di potenza: 100 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 50 a 200
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +175 °C
- Tipo di pacchetto: TO-3
Piedinatura del 2SD867
Sostituzione ed equivalenti per il transistor 2SD867
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