Transistor bipolare 2SD857
Caratteristiche elettriche del transistor 2SD857
- Tipo di transistor: NPN
- Tensione massima collettore-emettitore: 60 V
- Tensione massima collettore-base: 60 V
- Tensione massima emettitore-base: 5 V
- Corrente di collettore continua: 4 A
- Dissipazione di potenza: 40 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 40 a 250
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-220
Piedinatura del 2SD857
Sostituzione ed equivalenti per il transistor 2SD857
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