Transistor bipolare 2SD811
Caratteristiche elettriche del transistor 2SD811
- Tipo di transistor: NPN
- Tensione massima collettore-emettitore: 400 V
- Tensione massima collettore-base: 900 V
- Tensione massima emettitore-base: 6 V
- Corrente di collettore continua: 6 A
- Dissipazione di potenza: 50 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 10 a 40
- Frequenza di transizione: 5 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-3
Piedinatura del 2SD811
Sostituzione ed equivalenti per il transistor 2SD811
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