Transistor bipolare 2SD809-F
Caratteristiche elettriche del transistor 2SD809-F
- Tipo di transistor: NPN
- Tensione massima collettore-emettitore: 50 V
- Tensione massima collettore-base: 100 V
- Tensione massima emettitore-base: 6 V
- Corrente di collettore continua: 1 A
- Dissipazione di potenza: 10 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 300 a 480
- Frequenza di transizione: 85 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-126
Piedinatura del 2SD809-F
Sostituzione ed equivalenti per il transistor 2SD809-F
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