Transistor bipolare 2SD669-B

Caratteristiche elettriche del transistor 2SD669-B

  • Tipo di transistor: NPN
  • Tensione massima collettore-emettitore: 120 V
  • Tensione massima collettore-base: 180 V
  • Tensione massima emettitore-base: 5 V
  • Corrente di collettore continua: 1.5 A
  • Dissipazione di potenza: 20 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 60 a 120
  • Frequenza di transizione: 140 MHz
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-126

Piedinatura del 2SD669-B

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor 2SD669-B

È possibile sostituire il 2SD669-B con i transistor 2SC2481, 2SC2481-R, 2SC3621, 2SC3621-R, 2SD669A o 2SD669A-B.
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