Transistor bipolare 2SD667
Caratteristiche elettriche del transistor 2SD667
- Tipo di transistor: NPN
- Tensione massima collettore-emettitore: 80 V
- Tensione massima collettore-base: 120 V
- Tensione massima emettitore-base: 5 V
- Corrente di collettore continua: 1 A
- Dissipazione di potenza: 0.9 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 60 a 320
- Frequenza di transizione: 140 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-92MOD
Piedinatura del 2SD667
Sostituzione ed equivalenti per il transistor 2SD667
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