Transistor bipolare 2SD1692-M

Caratteristiche elettriche del transistor 2SD1692-M

  • Tipo di transistor: NPN
  • Tensione massima collettore-emettitore: 100 V
  • Tensione massima collettore-base: 150 V
  • Tensione massima emettitore-base: 8 V
  • Corrente di collettore continua: 3 A
  • Dissipazione di potenza: 15 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 2000 a 5000
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-126

Piedinatura del 2SD1692-M

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor 2SD1692-M

È possibile sostituire il 2SD1692-M con i transistor BD681, BD681G, KSD1692, KSD1692-O o MJE244.
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