Transistor bipolare 2SD1289
Caratteristiche elettriche del transistor 2SD1289
- Tipo di transistor: NPN
- Tensione massima collettore-emettitore: 120 V
- Tensione massima collettore-base: 120 V
- Tensione massima emettitore-base: 5 V
- Corrente di collettore continua: 8 A
- Dissipazione di potenza: 80 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 60 a 320
- Frequenza di transizione: 60 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-3P
Piedinatura del 2SD1289
Sostituzione ed equivalenti per il transistor 2SD1289
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