Transistor bipolare 2SD1250-Q
Caratteristiche elettriche del transistor 2SD1250-Q
- Tipo di transistor: PNP
- Tensione massima collettore-emettitore: -150 V
- Tensione massima collettore-base: -200 V
- Tensione massima emettitore-base: -6 V
- Corrente di collettore continua: -2 A
- Dissipazione di potenza: 30 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 60 a 140
- Frequenza di transizione: 20 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-252
Piedinatura del 2SD1250-Q
Sostituzione ed equivalenti per il transistor 2SD1250-Q
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