Transistor bipolare 2SD1060
Caratteristiche elettriche del transistor 2SD1060
- Tipo di transistor: NPN
- Tensione massima collettore-emettitore: 50 V
- Tensione massima collettore-base: 60 V
- Tensione massima emettitore-base: 6 V
- Corrente di collettore continua: 5 A
- Dissipazione di potenza: 30 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 100 a 280
- Frequenza di transizione: 30 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-220
Piedinatura del 2SD1060
Sostituzione ed equivalenti per il transistor 2SD1060
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