Transistor bipolare 2SD1006

Caratteristiche elettriche del transistor 2SD1006

  • Tipo di transistor: PNP
  • Tensione massima collettore-emettitore: -100 V
  • Tensione massima collettore-base: -100 V
  • Tensione massima emettitore-base: -5 V
  • Corrente di collettore continua: -0.7 A
  • Dissipazione di potenza: 2 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 90 a 400
  • Frequenza di transizione: 90 MHz
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: SOT-89

Piedinatura del 2SD1006

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor 2SD1006

È possibile sostituire il 2SD1006 con i transistor 2SB805, 2SB806 o 2SD1007.
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