Transistor bipolare 2SB929-Q

Caratteristiche elettriche del transistor 2SB929-Q

  • Tipo di transistor: PNP
  • Tensione massima collettore-emettitore: -60 V
  • Tensione massima collettore-base: -60 V
  • Tensione massima emettitore-base: -5 V
  • Corrente di collettore continua: -3 A
  • Dissipazione di potenza: 35 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 70 a 150
  • Frequenza di transizione: 30 MHz
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-252

Piedinatura del 2SB929-Q

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor 2SB929-Q

È possibile sostituire il 2SB929-Q con i transistor 2SB906, 2SB929A, 2SB929A-Q, 2SB930, 2SB930-Q, 2SB930A, 2SB930A-Q o KTA1042D.
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