Transistor bipolare 2SB870-R

Caratteristiche elettriche del transistor 2SB870-R

  • Tipo di transistor: PNP
  • Tensione massima collettore-emettitore: -80 V
  • Tensione massima collettore-base: -130 V
  • Tensione massima emettitore-base: -7 V
  • Corrente di collettore continua: -7 A
  • Dissipazione di potenza: 40 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 60 a 120
  • Frequenza di transizione: 30 MHz
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-220

Piedinatura del 2SB870-R

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor 2SB870-R

È possibile sostituire il 2SB870-R con i transistor 2N6491, 2N6491G, 2SA1010, 2SA1010L, 2SA1077, 2SB708, 2SB708-O, 2SB946, 2SB946-R, BD538, BD544B, BD544C, BD546B, BD546C, BD710, BD712, BD744B, BD744C, BD800, BD802, BD810, BD910, BD912, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, D45H11, D45H11FP, KSA1010, KSA1010O, KSB708, KSB708-O, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 o MJF15031G.
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