Transistor bipolare 2SB857-D
Caratteristiche elettriche del transistor 2SB857-D
- Tipo di transistor: PNP
- Tensione massima collettore-emettitore: -50 V
- Tensione massima collettore-base: -70 V
- Tensione massima emettitore-base: -5 V
- Corrente di collettore continua: -4 A
- Dissipazione di potenza: 40 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 160 a 320
- Frequenza di transizione: 15 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -45 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-220
Piedinatura del 2SB857-D
Sostituzione ed equivalenti per il transistor 2SB857-D
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