Transistor bipolare 2SB829
Caratteristiche elettriche del transistor 2SB829
- Tipo di transistor: PNP
- Tensione massima collettore-emettitore: -50 V
- Tensione massima collettore-base: -60 V
- Tensione massima emettitore-base: -6 V
- Corrente di collettore continua: -15 A
- Dissipazione di potenza: 90 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 70 a 280
- Frequenza di transizione: 20 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-3P
Piedinatura del 2SB829
Sostituzione ed equivalenti per il transistor 2SB829
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