Transistor bipolare 2SB768-L
Caratteristiche elettriche del transistor 2SB768-L
- Tipo di transistor: PNP
- Tensione massima collettore-emettitore: -100 V
- Tensione massima collettore-base: -200 V
- Tensione massima emettitore-base: -5 V
- Corrente di collettore continua: -2 A
- Dissipazione di potenza: 2 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 60 a 120
- Frequenza di transizione: 10 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-252
Piedinatura del 2SB768-L
Sostituzione ed equivalenti per il transistor 2SB768-L
Se si riscontra un errore, si prega di inviare un'e-mail a mail@el-component.com.