Transistor bipolare 2SB747-Q
Caratteristiche elettriche del transistor 2SB747-Q
- Tipo di transistor: PNP
- Tensione massima collettore-emettitore: -80 V
- Tensione massima collettore-base: -80 V
- Tensione massima emettitore-base: -5 V
- Corrente di collettore continua: -5 A
- Dissipazione di potenza: 40 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 60 a 120
- Frequenza di transizione: 7 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-220
Piedinatura del 2SB747-Q
Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.
Sostituzione ed equivalenti per il transistor 2SB747-Q
È possibile sostituire il 2SB747-Q con i transistor
2N6491,
2N6491G,
2SA1010,
2SA1010L,
2SA1077,
2SA1725,
2SA1726,
2SA771,
2SB1016,
2SB1367,
2SB595,
2SB633,
2SB633-D,
2SB708,
2SB708-O,
2SB870,
2SB870-R,
2SB945,
2SB945-R,
2SB946,
2SB946-R,
2SB995,
BD244B,
BD244C,
BD538,
BD540B,
BD540C,
BD544B,
BD544C,
BD546B,
BD546C,
BD710,
BD712,
BD744B,
BD744C,
BD800,
BD802,
BD810,
BD910,
BD912,
BD952,
BD954,
BD956,
BDT84,
BDT84F,
BDT86,
BDT86F,
BDT88,
BDT88F,
BDT94,
BDT94F,
BDT96,
BDT96F,
BDX78,
D45H11,
D45H11FP,
KSA1010,
KSA1010O,
KSB708,
KSB708-O,
KTB1367,
MJE15029,
MJE15029G,
MJE15031,
MJE15031G,
MJF15031 o
MJF15031G.
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