Transistor bipolare 2SB709A-Q
Caratteristiche elettriche del transistor 2SB709A-Q
- Tipo di transistor: PNP
- Tensione massima collettore-emettitore: -45 V
- Tensione massima collettore-base: -45 V
- Tensione massima emettitore-base: -7 V
- Corrente di collettore continua: -0.1 A
- Dissipazione di potenza: 0.2 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 160 a 460
- Frequenza di transizione: 80 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: SOT-23
Piedinatura del 2SB709A-Q
Sostituzione ed equivalenti per il transistor 2SB709A-Q
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