Transistor bipolare 2SB648
Caratteristiche elettriche del transistor 2SB648
- Tipo di transistor: PNP
- Tensione massima collettore-emettitore: -120 V
- Tensione massima collettore-base: -180 V
- Tensione massima emettitore-base: -5 V
- Corrente di collettore continua: -0.05 A
- Dissipazione di potenza: 1 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 60 a 320
- Frequenza di transizione: 140 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-126
Piedinatura del 2SB648
Sostituzione ed equivalenti per il transistor 2SB648
Se si riscontra un errore, si prega di inviare un'e-mail a mail@el-component.com.