Transistor bipolare 2SB600-R

Caratteristiche elettriche del transistor 2SB600-R

  • Tipo di transistor: PNP
  • Tensione massima collettore-emettitore: -200 V
  • Tensione massima collettore-base: -200 V
  • Tensione massima emettitore-base: -5 V
  • Corrente di collettore continua: -10 A
  • Dissipazione di potenza: 200 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 60 a 120
  • Frequenza di transizione: 4 MHz
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-3

Piedinatura del 2SB600-R

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor 2SB600-R

È possibile sostituire il 2SB600-R con i transistor 2SA909, 2SB706A, 2SB706A-R, 2SB723, 2SB723-B, MJ15012 o MJ15012G.
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