Transistor bipolare 2SB555-R
Caratteristiche elettriche del transistor 2SB555-R
- Tipo di transistor: PNP
- Tensione massima collettore-emettitore: -140 V
- Tensione massima collettore-base: -140 V
- Tensione massima emettitore-base: -5 V
- Corrente di collettore continua: -12 A
- Dissipazione di potenza: 100 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 40 a 80
- Frequenza di transizione: 6 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-3
Piedinatura del 2SB555-R
Sostituzione ed equivalenti per il transistor 2SB555-R
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