Transistor bipolare 2SB1626-P

Caratteristiche elettriche del transistor 2SB1626-P

  • Tipo di transistor: PNP
  • Tensione massima collettore-emettitore: -110 V
  • Tensione massima collettore-base: -110 V
  • Tensione massima emettitore-base: -5 V
  • Corrente di collettore continua: -6 A
  • Dissipazione di potenza: 60 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 6500 a 20000
  • Frequenza di transizione: 100 MHz
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-220F

Piedinatura del 2SB1626-P

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Equivalent circuit

2SB1626-P equivalent circuit

Sostituzione ed equivalenti per il transistor 2SB1626-P

È possibile sostituire il 2SB1626-P con i transistor BD652, BDT62C, BDT64C, BDT88, BDT88F, BDW48, BDW64D, BDW74D, BDX34D, BDX54D, BDX54E, BDX54F, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 o MJF15031G.
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