Transistor bipolare 2SB1299Q
Caratteristiche elettriche del transistor 2SB1299Q
- Tipo di transistor: PNP
- Tensione massima collettore-emettitore: -60 V
- Tensione massima collettore-base: -60 V
- Tensione massima emettitore-base: -6 V
- Corrente di collettore continua: -3 A
- Dissipazione di potenza: 40 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 300 a 500
- Frequenza di transizione: 30 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-220F
Piedinatura del 2SB1299Q
Sostituzione ed equivalenti per il transistor 2SB1299Q
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