Transistor bipolare 2SB1232-Q

Caratteristiche elettriche del transistor 2SB1232-Q

  • Tipo di transistor: PNP
  • Tensione massima collettore-emettitore: -100 V
  • Tensione massima collettore-base: -110 V
  • Tensione massima emettitore-base: -6 V
  • Corrente di collettore continua: -40 A
  • Dissipazione di potenza: 150 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 70 a 140
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-3P

Piedinatura del 2SB1232-Q

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.
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