Transistor bipolare 2SB1230

Caratteristiche elettriche del transistor 2SB1230

  • Tipo di transistor: PNP
  • Tensione massima collettore-emettitore: -100 V
  • Tensione massima collettore-base: -110 V
  • Tensione massima emettitore-base: -6 V
  • Corrente di collettore continua: -15 A
  • Dissipazione di potenza: 100 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 50 a 140
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-3P

Piedinatura del 2SB1230

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor 2SB1230

È possibile sostituire il 2SB1230 con i transistor 2SA1386, 2SA1386A, 2SA1386A-O, 2SA1386A-P, 2SA1386A-Y, 2SA1492, 2SA2151, 2SB1231, 2SB1232, BD246C, BD250C, BD746C o TIP36CA.
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