Transistor bipolare 2SB1159-P
Caratteristiche elettriche del transistor 2SB1159-P
- Tipo di transistor: PNP
- Tensione massima collettore-emettitore: -140 V
- Tensione massima collettore-base: -140 V
- Tensione massima emettitore-base: -5 V
- Corrente di collettore continua: -7 A
- Dissipazione di potenza: 80 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 100 a 200
- Frequenza di transizione: 20 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-3PF
Piedinatura del 2SB1159-P
Sostituzione ed equivalenti per il transistor 2SB1159-P
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