Transistor bipolare 2SB1154-P
Caratteristiche elettriche del transistor 2SB1154-P
- Tipo di transistor: PNP
- Tensione massima collettore-emettitore: -80 V
- Tensione massima collettore-base: -130 V
- Tensione massima emettitore-base: -7 V
- Corrente di collettore continua: -10 A
- Dissipazione di potenza: 70 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 130 a 260
- Frequenza di transizione: 30 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-3PF
Piedinatura del 2SB1154-P
Sostituzione ed equivalenti per il transistor 2SB1154-P
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