Transistor bipolare 2SB1116-K

Caratteristiche elettriche del transistor 2SB1116-K

  • Tipo di transistor: PNP
  • Tensione massima collettore-emettitore: -50 V
  • Tensione massima collettore-base: -60 V
  • Tensione massima emettitore-base: -6 V
  • Corrente di collettore continua: -1 A
  • Dissipazione di potenza: 0.75 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 200 a 400
  • Frequenza di transizione: 120 MHz
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-92

Piedinatura del 2SB1116-K

Il 2SB1116-K è prodotto in un contenitore TO-92 di plastica. Osservando il lato piatto con i conduttori rivolti verso il basso, i tre conduttori che emergono dal transistor sono, da sinistra a destra, l'emettitore, il collettore e la base.
Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Transistor 2SB1116-K in pacchetto TO-92

Il KSB1116-G è la versione TO-92 del transistor 2SB1116-K.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor 2SB1116-K

È possibile sostituire il 2SB1116-K con i transistor 2SA1382, 2SA1680, 2SA1761, 2SB1116A, 2SB1116A-K, 2SB1229, 2SB1229-T, 2SB892, 2SB892-T, 2SB985, 2SB985T, KSB1116, KSB1116-G, KSB1116A, KSB1116A-G, KSB1116S o KSB1116S-G.
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