Transistor bipolare 2SB1110-B

Caratteristiche elettriche del transistor 2SB1110-B

  • Tipo di transistor: PNP
  • Tensione massima collettore-emettitore: -200 V
  • Tensione massima collettore-base: -200 V
  • Tensione massima emettitore-base: -5 V
  • Corrente di collettore continua: -0.1 A
  • Dissipazione di potenza: 1.25 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 60 a 120
  • Frequenza di transizione: 140 MHz
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -50 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-126

Piedinatura del 2SB1110-B

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor 2SB1110-B

È possibile sostituire il 2SB1110-B con i transistor 2SA1156, 2SA1156L, 2SA1352, 2SA1352-D, 2SA1353, 2SA1353-D, 2SA1380, 2SA1380-D, 2SA1381, 2SA1381-D, 2SA1406, 2SA1406-D, 2SA1407, 2SA1407-D, 2SA1478, 2SA1478-D, 2SA1479, 2SA1479-D, 2SA1480, 2SA1480-D, 2SA1540, 2SA1540-D, 2SA1541, 2SA1541-D, KSA1156, KSA1156O, KSA1381, KSA1381-D, KSE350, KTA1703, KTA1703-O, MJE350 o MJE350G.
Se si riscontra un errore, si prega di inviare un'e-mail a mail@el-component.com.