Transistor bipolare 2SA1386-O
Caratteristiche elettriche del transistor 2SA1386-O
- Tipo di transistor: PNP
- Tensione massima collettore-emettitore: -160 V
- Tensione massima collettore-base: -160 V
- Tensione massima emettitore-base: -4 V
- Corrente di collettore continua: -15 A
- Dissipazione di potenza: 130 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 50 a 100
- Frequenza di transizione: 40 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-3P
Piedinatura del 2SA1386-O
Sostituzione ed equivalenti per il transistor 2SA1386-O
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