Transistor bipolare 2SA1010M

Caratteristiche elettriche del transistor 2SA1010M

  • Tipo di transistor: PNP
  • Tensione massima collettore-emettitore: -100 V
  • Tensione massima collettore-base: -100 V
  • Tensione massima emettitore-base: -7 V
  • Corrente di collettore continua: -7 A
  • Dissipazione di potenza: 40 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 40 a 80
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-220

Piedinatura del 2SA1010M

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor 2SA1010M

È possibile sostituire il 2SA1010M con i transistor BD712, BD744C, BD802, BD912, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT96, BDT96F, KSA1010, KSA1010R, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 o MJF15031G.
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