Transistor bipolare 2N6678
Caratteristiche elettriche del transistor 2N6678
- Tipo di transistor: NPN
- Tensione massima collettore-emettitore: 400 V
- Tensione massima collettore-base: 650 V
- Tensione massima emettitore-base: 8 V
- Corrente di collettore continua: 15 A
- Dissipazione di potenza: 175 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): 8
- Frequenza di transizione: 3 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +200 °C
- Tipo di pacchetto: TO-3
Piedinatura del 2N6678
Sostituzione ed equivalenti per il transistor 2N6678
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