Transistor bipolare 2N6667G
Caratteristiche elettriche del transistor 2N6667G
- Tipo di transistor: PNP
- Tensione massima collettore-emettitore: -60 V
- Tensione massima collettore-base: -60 V
- Tensione massima emettitore-base: -5 V
- Corrente di collettore continua: -10 A
- Dissipazione di potenza: 65 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 1000 a 20000
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-220
- 2N6667G 2m è la versione senza piombo del transistor 2N6667
Piedinatura del 2N6667G
Equivalent circuit
![2N6667G equivalent circuit](/images/bipolar-transistor/2n6667g-equivalent-circuit.jpg)
Sostituzione ed equivalenti per il transistor 2N6667G
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