Transistor bipolare 2N6667G

Caratteristiche elettriche del transistor 2N6667G

  • Tipo di transistor: PNP
  • Tensione massima collettore-emettitore: -60 V
  • Tensione massima collettore-base: -60 V
  • Tensione massima emettitore-base: -5 V
  • Corrente di collettore continua: -10 A
  • Dissipazione di potenza: 65 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 1000 a 20000
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-220
  • 2N6667G 2m è la versione senza piombo del transistor 2N6667

Piedinatura del 2N6667G

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Equivalent circuit

2N6667G equivalent circuit

Sostituzione ed equivalenti per il transistor 2N6667G

È possibile sostituire il 2N6667G con i transistor 2N6667, 2N6668, 2N6668G, BD546A, BD546B, BD546C, BD808, BD810, BDT62, BDT62A, BDT62B, BDT62C, BDT64, BDT64A, BDT64B, BDT64C, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW45, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, BDX34A, BDX34B, BDX34BG, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, D45H11, D45H11FP, D45H8, TIP145T, TIP146T o TIP147T.
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