Transistor bipolare 2N5630
Caratteristiche elettriche del transistor 2N5630
- Tipo di transistor: NPN
- Tensione massima collettore-emettitore: 120 V
- Tensione massima collettore-base: 120 V
- Tensione massima emettitore-base: 7 V
- Corrente di collettore continua: 16 A
- Dissipazione di potenza: 200 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 20 a 80
- Frequenza di transizione: 1 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +200 °C
- Tipo di pacchetto: TO-3
Piedinatura del 2N5630
Sostituzione ed equivalenti per il transistor 2N5630
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