Transistor bipolare 2N5630

Caratteristiche elettriche del transistor 2N5630

  • Tipo di transistor: NPN
  • Tensione massima collettore-emettitore: 120 V
  • Tensione massima collettore-base: 120 V
  • Tensione massima emettitore-base: 7 V
  • Corrente di collettore continua: 16 A
  • Dissipazione di potenza: 200 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 20 a 80
  • Frequenza di transizione: 1 MHz
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +200 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-3

Piedinatura del 2N5630

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor 2N5630

È possibile sostituire il 2N5630 con i transistor 2N5038, 2N5038G, 2N5039 o 2N5672.
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