Transistor bipolare 2N3789
Caratteristiche elettriche del transistor 2N3789
- Tipo di transistor: PNP
- Tensione massima collettore-emettitore: -60 V
- Tensione massima collettore-base: -80 V
- Tensione massima emettitore-base: -7 V
- Corrente di collettore continua: -10 A
- Dissipazione di potenza: 150 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 25 a 90
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +200 °C
- Tipo di pacchetto: TO-3
Piedinatura del 2N3789
Sostituzione ed equivalenti per il transistor 2N3789
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