Transistor bipolaire ZTX458

Caractéristiques électriques du transistor ZTX458

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 400 V
  • Tension collecteur-base maximum: 400 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 1 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 300
  • Fréquence de transition minimum: 50 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +200 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du ZTX458

Le ZTX458 est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor ZTX458

Le transistor PNP complémentaire du ZTX458 est le ZTX558.

Version SMD du transistor ZTX458

Le FMMT459 (SOT-23) et PMBTA45 (SOT-23) est la version SMD du transistor ZTX458.
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