Transistor bipolaire TTA0001

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -160 V
• Tension collecteur-base maximum: -160 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -18 A
• Dissipation de puissance maximum: 150 W
• Gain de courant (h_fe): 80 à 160
• Fréquence de transition minimum: 30 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-3P

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du TTA0001 est le TTC0001.Vous pouvez remplacer le transistor TTA0001 par TTA0002.