Transistor bipolaire TIP51
Caractéristiques électriques du transistor TIP51
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 250 V
- Tension collecteur-base maximum: 350 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 3 A
- Dissipation de puissance maximum: 100 W
- Gain de courant (hfe): 30 à 150
- Fréquence de transition minimum: 3 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
- Boîtier: TO-247
Brochage du TIP51
Substituts et équivalents pour le transistor TIP51
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