Transistor bipolaire TIP32F

Caractéristiques électriques du transistor TIP32F

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -160 V
  • Tension collecteur-base maximum: -200 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 10 à 50
  • Fréquence de transition minimum: 3 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du TIP32F

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor TIP32F

Le transistor NPN complémentaire du TIP32F est le TIP31F.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com