Transistor bipolaire STD02N-Y

Caractéristiques électriques du transistor STD02N-Y

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 150 V
  • Tension collecteur-base maximum: 150 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 12 A
  • Dissipation de puissance maximum: 130 W
  • Gain de courant (hfe): 8000 à 20000
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3P-5WO4

Brochage du STD02N-Y

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor STD02N-Y peut avoir un gain en courant continu de 8000 à 20000. Le gain en courant continu du STD02N est compris entre 5000 à 20000, celui du STD02N-O entre 5000 à 12000.

Equivalent circuit

STD02N-Y equivalent circuit

Complémentaire du transistor STD02N-Y

Le transistor PNP complémentaire du STD02N-Y est le STD02P-Y.

Substituts et équivalents pour le transistor STD02N-Y

Vous pouvez remplacer le transistor STD02N-Y par STD03N ou STD03N-Y.
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