Transistor bipolaire PBHV8115T

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 150 V
• Tension collecteur-base maximum: 400 V
• Tension émetteur-base maximum: 6 V
• Courant collecteur continu maximum: 1 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.3 W
• Gain de courant (h_fe): 100
• Fréquence de transition minimum: 30 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: SOT-23

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PBHV8115T est marqué "W6".Le transistor PNP complémentaire du PBHV8115T est le PBHV9115T.