Transistor bipolaire NTE191

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 300 V
• Tension collecteur-base maximum: 300 V
• Tension émetteur-base maximum: 6 V
• Courant collecteur continu maximum: 0.5 A
• Dissipation de puissance maximum: 10 W
• Gain de courant (h_fe): 40
• Fréquence de transition minimum: 45 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-202

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du NTE191 est le NTE240.Le KST42 (SOT-23), MMBTA42 (SOT-23) et PZTA42 (SOT-223) est la version SMD du transistor NTE191.