Transistor bipolaire NJW21193G

Caractéristiques électriques du transistor NJW21193G

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -250 V
  • Tension collecteur-base maximum: -400 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -16 A
  • Dissipation de puissance maximum: 200 W
  • Gain de courant (hfe): 20 à 80
  • Fréquence de transition minimum: 4 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3P
  • Le NJW21193G est la version sans plomb du transistor NJW21193

Brochage du NJW21193G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor NJW21193G

Le transistor NPN complémentaire du NJW21193G est le NJW21194G.

Substituts et équivalents pour le transistor NJW21193G

Vous pouvez remplacer le transistor NJW21193G par MJW21193, MJW21193G, MJW21195, MJW21195G ou NJW21193.
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