Transistor bipolaire NJW0281G

Caractéristiques électriques du transistor NJW0281G

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 250 V
  • Tension collecteur-base maximum: 250 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 15 A
  • Dissipation de puissance maximum: 150 W
  • Gain de courant (hfe): 75 à 150
  • Fréquence de transition minimum: 30 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3P
  • Le NJW0281G est la version sans plomb du transistor NJW0281

Brochage du NJW0281G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor NJW0281G

Le transistor PNP complémentaire du NJW0281G est le NJW0302G.

Substituts et équivalents pour le transistor NJW0281G

Vous pouvez remplacer le transistor NJW0281G par 2SC3320, 2SC5242, 2SD1313, FJA4313, FJL4315, MJL0281A, MJL0281AG, MJL3281A, MJL3281AG, MJW0281A, MJW0281AG, NJW0281, NJW3281 ou NJW3281G.
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