Transistor bipolaire MPSW42G

Caractéristiques électriques du transistor MPSW42G

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 300 V
  • Tension collecteur-base maximum: 300 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 1 W
  • Gain de courant (hfe): 40
  • Fréquence de transition minimum: 50 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92
  • Le MPSW42G est la version sans plomb du transistor MPSW42

Brochage du MPSW42G

Le MPSW42G est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor MPSW42G

Le transistor PNP complémentaire du MPSW42G est le MPSW92G.

Version SMD du transistor MPSW42G

Le KST42 (SOT-23), MMBTA42 (SOT-23) et PZTA42 (SOT-223) est la version SMD du transistor MPSW42G.

Substituts et équivalents pour le transistor MPSW42G

Vous pouvez remplacer le transistor MPSW42G par 2N6516, KSP42, MPSA42, MPSW42 ou ZTX457.
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