Transistor bipolaire MPSW42G
Caractéristiques électriques du transistor MPSW42G
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 300 V
- Tension collecteur-base maximum: 300 V
- Tension émetteur-base maximum: 6 V
- Courant collecteur continu maximum: 0.5 A
- Dissipation de puissance maximum: 1 W
- Gain de courant (hfe): 40
- Fréquence de transition minimum: 50 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-92
- Le MPSW42G est la version sans plomb du transistor MPSW42
Brochage du MPSW42G
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Complémentaire du transistor MPSW42G
Version SMD du transistor MPSW42G
Substituts et équivalents pour le transistor MPSW42G
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