Transistor bipolaire MPSL51

Caractéristiques électriques du transistor MPSL51

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
  • Tension collecteur-base maximum: -100 V
  • Tension émetteur-base maximum: -4 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.2 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 250
  • Fréquence de transition minimum: 60 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du MPSL51

Le MPSL51 est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor MPSL51

Le transistor NPN complémentaire du MPSL51 est le MPSL01.

Substituts et équivalents pour le transistor MPSL51

Vous pouvez remplacer le transistor MPSL51 par 2SA709, KSP93 ou MPSA93.
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