Transistor bipolaire MPS6717G

Caractéristiques électriques du transistor MPS6717G

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
  • Tension collecteur-base maximum: 80 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 1 W
  • Gain de courant (hfe): 50 à 250
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92
  • Electrically Similar to the Popular 2N6717 transistor
  • Le MPS6717G est la version sans plomb du transistor MPS6717

Brochage du MPS6717G

Le MPS6717G est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Version SMD du transistor MPS6717G

Le FMMTA06 (SOT-23) et KST06 (SOT-23) est la version SMD du transistor MPS6717G.

Substituts et équivalents pour le transistor MPS6717G

Vous pouvez remplacer le transistor MPS6717G par 2SC1009, BC538, KSC1009, KSP06 ou MPS6717.
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