Transistor bipolaire MPS6717G
Caractéristiques électriques du transistor MPS6717G
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
- Tension collecteur-base maximum: 80 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 0.5 A
- Dissipation de puissance maximum: 1 W
- Gain de courant (hfe): 50 à 250
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-92
- Electrically Similar to the Popular 2N6717 transistor
- Le MPS6717G est la version sans plomb du transistor MPS6717
Brochage du MPS6717G
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Version SMD du transistor MPS6717G
Substituts et équivalents pour le transistor MPS6717G
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