Transistor bipolaire MJW21192G

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 150 V
• Tension collecteur-base maximum: 150 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 8 A
• Dissipation de puissance maximum: 125 W
• Gain de courant (h_fe): 15 à 100
• Fréquence de transition minimum: 4 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-247
• Le MJW21192G est la version sans plomb du transistor MJW21192

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du MJW21192G est le MJW21191G.Vous pouvez remplacer le transistor MJW21192G par MJW21192.