Transistor bipolaire MJL21196G

Caractéristiques électriques du transistor MJL21196G

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 250 V
  • Tension collecteur-base maximum: 400 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 16 A
  • Dissipation de puissance maximum: 200 W
  • Gain de courant (hfe): 25 à 75
  • Fréquence de transition minimum: 4 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-264
  • Electrically Similar to the Popular MJ21196G transistor
  • Le MJL21196G est la version sans plomb du transistor MJL21196

Brochage du MJL21196G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor MJL21196G

Le transistor PNP complémentaire du MJL21196G est le MJL21195.

Substituts et équivalents pour le transistor MJL21196G

Vous pouvez remplacer le transistor MJL21196G par 2SD1313, MJL21194, MJL21194G, MJL21196, MJW21194, MJW21194G, MJW21196, MJW21196G, NJW21194 ou NJW21194G.
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