Transistor bipolaire MJE2801

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
• Tension collecteur-base maximum: 60 V
• Tension émetteur-base maximum: 4 V
• Courant collecteur continu maximum: 10 A
• Dissipation de puissance maximum: 90 W
• Gain de courant (h_fe): 25 à 100
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-127

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du MJE2801 est le MJE2901.Vous pouvez remplacer le transistor MJE2801 par 2N5990, 2N5991, MJE1661, MJE3055 ou NTE182.